دورية أكاديمية

Thermal Characterization Using Optical Methods of AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrate in RF Operating Conditions

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Thermal Characterization Using Optical Methods of AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrate in RF Operating Conditions
المؤلفون: Baczkowski, L., Jacquet, J., Jardel, O., Gaquiere, C., Moreau, M., Carisetti, D., Brunel, L., Vouzelaud, F., Mancuso, Y.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 62(12):3992-3998 Dec, 2015
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2015.2493204