دورية أكاديمية

Comparison of the AlxGa1–xN/GaN Heterostructures Grown on Silicon-on-Insulator and Bulk-Silicon Substrates

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Comparison of the AlxGa1–xN/GaN Heterostructures Grown on Silicon-on-Insulator and Bulk-Silicon Substrates
المؤلفون: Tham, W.H., Ang, D.S., Bera, L.K., Dolmanan, S.B., Bhat, T.N., Lin, V.K.X., Tripathy, S.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 63(1):345-352 Jan, 2016
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2015.2501410