دورية أكاديمية

Bonding Pad Over Active Structure for Chip Shrinkage of High-Power AlGaN/GaN HFETs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Bonding Pad Over Active Structure for Chip Shrinkage of High-Power AlGaN/GaN HFETs
المؤلفون: Oh, S.K., Jang, T., Jo, Y.J., Ko, H., Kwak, J.S.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 63(2):620-624 Feb, 2016
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2015.2509964