دورية أكاديمية

A 10 nm FinFET 128 Mb SRAM With Assist Adjustment System for Power, Performance, and Area Optimization

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A 10 nm FinFET 128 Mb SRAM With Assist Adjustment System for Power, Performance, and Area Optimization
المؤلفون: Song, T., Rim, W., Park, S., Kim, Y., Yang, G., Kim, H., Baek, S., Jung, J., Kwon, B., Cho, S., Jung, H., Choo, Y., Choi, J.
المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 52(1):240-249 Jan, 2017
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189200
1558173X
DOI:10.1109/JSSC.2016.2609386