Ge-on-insulator lateral bipolar transistors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Ge-on-insulator lateral bipolar transistors
المؤلفون: Yau, J.-B., Yoon, J., Cai, J., Ning, T. H., Chan, K. K., Engelmann, S. U., Park, D.-G., Mo, R. T., Shahidi, G.
المصدر: 2016 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2016 IEEE. :130-133 Sep, 2016
Relation: 2016 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
ردمك:9781509004843
9781509004836
تدمد:2378590X
DOI:10.1109/BCTM.2016.7738942