دورية أكاديمية

Noise parameter optimization of UHV/CVD SiGe HBT's for RF and microwave applications

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Noise parameter optimization of UHV/CVD SiGe HBT's for RF and microwave applications
المؤلفون: Guofu Niu, Ansley, W.E., Shiming Zhang, Cressler, J.D., Webster, C.S., Groves, R.A.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 46(8):1589-1598 Aug, 1999
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/16.777145