دورية أكاديمية

Evidence of Hot-Electron Effects During Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Evidence of Hot-Electron Effects During Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs
المؤلفون: Rossetto, I., Meneghini, M., Tajalli, A., Dalcanale, S., De Santi, C., Moens, P., Banerjee, A., Zanoni, E., Meneghesso, G.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 64(9):3734-3739 Sep, 2017
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2017.2728785