دورية أكاديمية

Single-Event Upset Mitigation in a Complementary SiGe HBT BiCMOS Technology

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Single-Event Upset Mitigation in a Complementary SiGe HBT BiCMOS Technology
المؤلفون: Lourenco, N.E., Ildefonso, A., Tzintzarov, G.N., Fleetwood, Z.E., Motoki, K., Paki, P., Kaynak, M., Cressler, J.D.
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 65(1):231-238 Jan, 2018
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189499
15581578
DOI:10.1109/TNS.2017.2778803