دورية أكاديمية

Characteristics of Recessed-Gate TFETs With Line Tunneling

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Characteristics of Recessed-Gate TFETs With Line Tunneling
المؤلفون: Lin, J.-T., Wang, T.-C., Lee, W.-H., Yeh, C.-T., Glass, S., Zhao, Q.-T.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(2):769-775 Feb, 2018
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2017.2786215