دورية أكاديمية

Determination of Minority Carrier Lifetime of Holes in Diamond p-i-n Diodes Using Reverse Recovery Method

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Determination of Minority Carrier Lifetime of Holes in Diamond p-i-n Diodes Using Reverse Recovery Method
المؤلفون: Dutta, M., Mandal, S., Hathwar, R., Fischer, A.M., Koeck, F.A.M., Nemanich, R.J., Goodnick, S.M., Chowdhury, S.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 39(4):552-555 Apr, 2018
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2018.2804978