دورية أكاديمية

Improved Dynamic RON of GaN Vertical Trench MOSFETs (OG-FETs) Using TMAH Wet Etch

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Improved Dynamic RON of GaN Vertical Trench MOSFETs (OG-FETs) Using TMAH Wet Etch
المؤلفون: Ji, D., Li, W., Agarwal, A., Chan, S.H., Haller, J., Bisi, D., Labrecque, M., Gupta, C., Cruse, B., Lal, R., Keller, S., Mishra, U.K., Chowdhury, S.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 39(7):1030-1033 Jul, 2018
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2018.2843335