دورية أكاديمية

Collector Transport in SiGe HBTs Operating at Cryogenic Temperatures

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Collector Transport in SiGe HBTs Operating at Cryogenic Temperatures
المؤلفون: Ying, H., Dark, J., Omprakash, A.P., Wier, B.R., Ge, L., Raghunathan, U., Lourenco, N.E., Fleetwood, Z.E., Mourigal, M., Davidovic, D., Cressler, J.D.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(9):3697-3703 Sep, 2018
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2018.2854288