دورية أكاديمية
Thermally Grown TiO2 and Al2O3 for GaN-Based MOS-HEMTs
| العنوان: | Thermally Grown TiO2 and Al2O3 for GaN-Based MOS-HEMTs |
|---|---|
| المؤلفون: | Rawat, A., Meer, M., Surana, V.k., Bhardwaj, N., Pendem, V., Garigapati, N.S., Yadav, Y., Ganguly, S., Saha, D. |
| المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 65(9):3725-3731 Sep, 2018 |
| قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
Full Text Finder | تدمد: | 00189383 15579646 |
|---|---|
| DOI: | 10.1109/TED.2018.2857468 |