دورية أكاديمية

A Novel Gate-Normal Tunneling Field-Effect Transistor With Dual-Metal Gate

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A Novel Gate-Normal Tunneling Field-Effect Transistor With Dual-Metal Gate
المؤلفون: Glass, S., Kato, K., Kibkalo, L., Hartmann, J., Takagi, S., Buca, D., Mantl, S., Qing-Tai, Z.
المصدر: IEEE Journal of the Electron Devices Society IEEE J. Electron Devices Soc. Electron Devices Society, IEEE Journal of the. 6:1070-1076 2018
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:21686734
DOI:10.1109/JEDS.2018.2864581