دورية أكاديمية

Effects of Parasitic Source/Drain Junction Area on Terahertz Responsivity of MOSFET Detector

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Effects of Parasitic Source/Drain Junction Area on Terahertz Responsivity of MOSFET Detector
المؤلفون: Kim, S., Khan, M.I.W., Park, D., Lee, S., Kim, K.R.
المصدر: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology IEEE Trans. THz Sci. Technol. Terahertz Science and Technology, IEEE Transactions on. 8(6):681-687 Nov, 2018
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:2156342X
21563446
DOI:10.1109/TTHZ.2018.2866941