دورية أكاديمية

Two-step rapid thermal annealing (TS-RTA) to suppress out-diffusion of dopants without degrading short channel effect of transistor

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Two-step rapid thermal annealing (TS-RTA) to suppress out-diffusion of dopants without degrading short channel effect of transistor
المؤلفون: Jong-Wan Jung, Jae-Sung Roh, Youngjong Lee, Kyungho Lee
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 21(8):376-377 Aug, 2000
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/55.852955