دورية أكاديمية

Performance Improvement of GaN-Based Light-Emitting Diodes With a Microhole Array, 45° Sidewalls, and a SiO2 Nanoparticle/Microsphere Passivation Layer

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Performance Improvement of GaN-Based Light-Emitting Diodes With a Microhole Array, 45° Sidewalls, and a SiO2 Nanoparticle/Microsphere Passivation Layer
المؤلفون: Chang, C., Lee, Y., Wang, Z., Liu, R., Tsai, J., Liu, W.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(1):505-511 Jan, 2019
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2018.2882802