دورية أكاديمية

Impact of Varying Strain Energy in Oxide on Random Telegraph Noise and Associated Time Constants in Silicon Nanowire pMOSFETs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Impact of Varying Strain Energy in Oxide on Random Telegraph Noise and Associated Time Constants in Silicon Nanowire pMOSFETs
المؤلفون: Sharma, D.K., Datta, A.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(3):1489-1494 Mar, 2019
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2019.2892551