دورية أكاديمية

The Effect of the Gate-Connected Field Plate on Single-Event Transients in AlGaN/GaN Schottky-Gate HEMTs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: The Effect of the Gate-Connected Field Plate on Single-Event Transients in AlGaN/GaN Schottky-Gate HEMTs
المؤلفون: Khachatrian, A., Buchner, S., Koehler, A., Affouda, C., McMorrow, D., LaLumondiere, S.D., Dillingham, E.C., Bonsall, J.P., Scofield, A.C., Brewe, D.L.
المصدر: IEEE Transactions on Nuclear Science IEEE Trans. Nucl. Sci. Nuclear Science, IEEE Transactions on. 66(7):1682-1687 Jul, 2019
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189499
15581578
DOI:10.1109/TNS.2019.2910493