دورية أكاديمية

Coexistence of Digital and Analog Resistive Switching With Low Operation Voltage in Oxygen-Gradient HfOx Memristors

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Coexistence of Digital and Analog Resistive Switching With Low Operation Voltage in Oxygen-Gradient HfOx Memristors
المؤلفون: Li, Z., Tian, B., Xue, K., Wang, B., Xu, M., Lu, H., Sun, H., Miao, X.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 40(7):1068-1071 Jul, 2019
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2019.2917935