دورية أكاديمية

Avalanche Ruggedness Capability and Improvement of 5-V n-Channel Large-Array MOSFET in BCD Process

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Avalanche Ruggedness Capability and Improvement of 5-V n-Channel Large-Array MOSFET in BCD Process
المؤلفون: Nidhi, K., Ker, M., Lee, J., Huang, S.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 66(7):3040-3048 Jul, 2019
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2019.2916032