دورية أكاديمية

A 0.4-/spl mu/m 3.3-V 1T1C 4-Mb nonvolatile ferroelectric RAM with fixed bitline reference voltage scheme and data protection circuit

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A 0.4-/spl mu/m 3.3-V 1T1C 4-Mb nonvolatile ferroelectric RAM with fixed bitline reference voltage scheme and data protection circuit
المؤلفون: Byung-Gil Jeon, Mun-Kyu Choi, Yoonjong Song, Seung-Kyu Oh, Yeonbae Chung, Kang-Deog Suh, Kinam Kim
المصدر: IEEE Journal of Solid-State Circuits IEEE J. Solid-State Circuits Solid-State Circuits, IEEE Journal of. 35(11):1690-1694 Nov, 2000
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189200
1558173X
DOI:10.1109/4.881216