دورية أكاديمية

An X-band GaN HEMT power amplifier design using an artificial neural network modeling technique

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: An X-band GaN HEMT power amplifier design using an artificial neural network modeling technique
المؤلفون: Sang Yun Lee, Cetiner, B.A., Torpi, H., Cai, S.J., Jiang Li, Alt, K., Chen, Y.L., Wen, C.P., Wang, K.L., Itoh, T.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 48(3):495-501 Mar, 2001
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/16.906442