دورية أكاديمية

Modeling of Short-Channel Effects in GaN HEMTs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Modeling of Short-Channel Effects in GaN HEMTs
المؤلفون: Allaei, M., Shalchian, M., Jazaeri, F.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(8):3088-3094 Aug, 2020
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2020.3005122