دورية أكاديمية
Modeling of Short-Channel Effects in GaN HEMTs
العنوان: | Modeling of Short-Channel Effects in GaN HEMTs |
---|---|
المؤلفون: | Allaei, M., Shalchian, M., Jazaeri, F. |
المصدر: | IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(8):3088-3094 Aug, 2020 |
قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
كن أول من يترك تعليقا!