دورية أكاديمية

Analysis of Surface Charge Effects and Edge Fringing Capacitance in Planar GaAs and GaN Schottky Barrier Diodes

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Analysis of Surface Charge Effects and Edge Fringing Capacitance in Planar GaAs and GaN Schottky Barrier Diodes
المؤلفون: Orfao, B., Vasallo, B.G., Moro-Melgar, D., Perez, S., Mateos, J., Gonzalez, T.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 67(9):3530-3535 Sep, 2020
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2020.3007374