دورية أكاديمية
Accuracy of Three Interterminal Capacitance Models for SiC Power MOSFETs Under Fast Switching
| العنوان: | Accuracy of Three Interterminal Capacitance Models for SiC Power MOSFETs Under Fast Switching |
|---|---|
| المؤلفون: | Stark, R., Tsibizov, A., Nain, N., Grossner, U., Kovacevic-Badstuebner, I. |
| المصدر: | IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 36(8):9398-9410 Aug, 2021 |
| قاعدة البيانات: | IEEE Xplore Digital Library |
Full Text Finder كن أول من يترك تعليقا!