دورية أكاديمية

Surge Current and Avalanche Ruggedness of 1.2-kV Vertical GaN p-n Diodes

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Surge Current and Avalanche Ruggedness of 1.2-kV Vertical GaN p-n Diodes
المؤلفون: Liu, J., Zhang, R., Xiao, M., Pidaparthi, S., Cui, H., Edwards, A., Baubutr, L., Drowley, C., Zhang, Y.
المصدر: IEEE Transactions on Power Electronics IEEE Trans. Power Electron. Power Electronics, IEEE Transactions on. 36(10):10959-10964 Oct, 2021
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:08858993
19410107
DOI:10.1109/TPEL.2021.3067019