دورية أكاديمية

Analytical Modeling and Simulation of AlGaN/GaN MOS-HEMT for High Sensitive pH Sensor

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Analytical Modeling and Simulation of AlGaN/GaN MOS-HEMT for High Sensitive pH Sensor
المؤلفون: Pal, P., Pratap, Y., Gupta, M., Kabra, S.
المصدر: IEEE Sensors Journal IEEE Sensors J. Sensors Journal, IEEE. 21(12):12998-13005 Jun, 2021
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:1530437X
15581748
23799153
DOI:10.1109/JSEN.2021.3069243