دورية أكاديمية

Suppression of Stress-Induced Defects in FinFET by Implantation and STI Co-Optimization

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Suppression of Stress-Induced Defects in FinFET by Implantation and STI Co-Optimization
المؤلفون: Ye, B., Zhu, H., Chen, L., Li, J., Sun, Q., Zhang, D.W.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 68(5):2587-2589 May, 2021
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2021.3068241