التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: |
A new test procedure to realistically estimate end-of-life electrical parameter stability of SiC MOSFETs in switching operation |
المؤلفون: |
Salmen, P., Feil, M. W., Waschneck, K., Reisinger, H., Rescher, G., Aichinger, T. |
المصدر: |
2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Reliability Physics Symposium (IRPS), 2021 IEEE International. :1-7 Mar, 2021 |
Relation: |
2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |
قاعدة البيانات: |
IEEE Xplore Digital Library |