دورية أكاديمية

Improving the RF performance of 0.18 μm CMOS with deep n-well implantation

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Improving the RF performance of 0.18 μm CMOS with deep n-well implantation
المؤلفون: Jiong-Guang Su, Heng-Ming Hsu, Shyh-Chyi Wong, Chun-Yen Chang, Tiao-Yuan Huang, Jack Yuan-Chen Sun
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 22(10):481-483 Oct, 2001
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/55.954918