دورية أكاديمية

TCAD Modeling of the Dynamic VTH Hysteresis Under Fast Sweeping Characterization in p-GaN Gate HEMTs

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: TCAD Modeling of the Dynamic VTH Hysteresis Under Fast Sweeping Characterization in p-GaN Gate HEMTs
المؤلفون: Tallarico, A.N., Millesimo, M., Bakeroot, B., Borga, M., Posthuma, N., Decoutere, S., Sangiorgi, E., Fiegna, C.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(2):507-513 Feb, 2022
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2021.3134928