دورية أكاديمية

Accurate Quantum Transport Modeling of High-Speed In0.53Ga0.47As/AlAs Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Accurate Quantum Transport Modeling of High-Speed In0.53Ga0.47As/AlAs Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes
المؤلفون: Cimbri, D., Yavas-Aydin, B., Hartmann, F., Jabeen, F., Worschech, L., Hofling, S., Wasige, E.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(8):4638-4645 Aug, 2022
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2022.3178360