دورية أكاديمية

A Three-Dimensional Simulation Study of the Novel Comb-Like-Channel Field-Effect Transistors for the 5-nm Technology Node and Beyond

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: A Three-Dimensional Simulation Study of the Novel Comb-Like-Channel Field-Effect Transistors for the 5-nm Technology Node and Beyond
المؤلفون: Li, X., Zhu, H., Gan, W., Huang, W., Wu, Z.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(9):4786-4790 Sep, 2022
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2022.3188589