دورية أكاديمية

Exploration of Scandium Doping in SbTe for Phase Change Memory Application

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Exploration of Scandium Doping in SbTe for Phase Change Memory Application
المؤلفون: Barci, M., Leonelli, D., Zhou, X., Wang, X., Garbin, D., Jayakumar, G., Witters, T., Vergel, N.F., Kundu, S., Palayam, S.V., Jiao, H., Wu, H., Kar, G.S.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(11):6106-6112 Nov, 2022
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2022.3209639