دورية أكاديمية

Nanowire Diameter Dependency of the Variability in n/p Silicon Nanowire FETs With Ultrashort Gate Length of 15 nm

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Nanowire Diameter Dependency of the Variability in n/p Silicon Nanowire FETs With Ultrashort Gate Length of 15 nm
المؤلفون: Lee, S., Yoon, J., Baek, R.
المصدر: IEEE Transactions on Electron Devices IEEE Trans. Electron Devices Electron Devices, IEEE Transactions on. 69(12):6529-6534 Dec, 2022
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:00189383
15579646
DOI:10.1109/TED.2022.3211226