Confinement Effect and Conduction Band Offset in DG-SOI MOSFETs: A Simulation Study

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Confinement Effect and Conduction Band Offset in DG-SOI MOSFETs: A Simulation Study
المؤلفون: Kansal, Harshit, Mishra, Nalin Vilochan, Medury, Aditya Sankar
المصدر: 2022 International Semiconductor Conference (CAS) Semiconductor Conference (CAS), 2022 International. :281-284 Oct, 2022
Relation: 2022 International Semiconductor Conference (CAS)
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
ردمك:9781665452557
تدمد:23770678
DOI:10.1109/CAS56377.2022.9934318