دورية أكاديمية

Understanding the Effect of Oxygen Content on Ferroelectric Properties of Al-Doped HfO Thin Films

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Understanding the Effect of Oxygen Content on Ferroelectric Properties of Al-Doped HfO Thin Films
المؤلفون: Li, Z., Wang, T., Liu, Y., Yu, J., Meng, J., Liu, P., Xu, K., Zhu, H., Sun, Q., Zhang, D.W., Chen, L.
المصدر: IEEE Electron Device Letters IEEE Electron Device Lett. Electron Device Letters, IEEE. 44(1):56-59 Jan, 2023
قاعدة البيانات: IEEE Xplore Digital Library
الوصف
تدمد:07413106
15580563
DOI:10.1109/LED.2022.3226195