دورية أكاديمية

Growth of cubic silicon carbide on oxide using polysilicon as a seed layer for micro-electro-mechanical machine applications

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Growth of cubic silicon carbide on oxide using polysilicon as a seed layer for micro-electro-mechanical machine applications
المؤلفون: Frewin, C.L., Locke, C., Wang, J., Spagnol, P., Saddow, S.E.
المصدر: In Journal of Crystal Growth 2009 311(17):4179-4182
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:00220248
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2009.06.037