دورية أكاديمية

Growth of GaN epilayers on c-, m-, a-, and (20.1)-plane GaN bulk substrates obtained by ammonothermal method

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Growth of GaN epilayers on c-, m-, a-, and (20.1)-plane GaN bulk substrates obtained by ammonothermal method
المؤلفون: Rudziński, M., Kudrawiec, R., Janicki, L., Serafinczuk, J., Kucharski, R., Zając, M., Misiewicz, J., Doradziński, R., Dwiliński, R., Strupiński, W.
المصدر: In Journal of Crystal Growth 2011 328(1):5-12
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:00220248
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2011.06.027