دورية أكاديمية

GaAs (1 1 1) epilayers grown by MBE on Ge (1 1 1): Twin reduction and polarity

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: GaAs (1 1 1) epilayers grown by MBE on Ge (1 1 1): Twin reduction and polarity
المؤلفون: Pelati, D., Patriarche, G., Mauguin, O., Largeau, L., Travers, L., Brisset, F., Glas, F., Oehler, F.
المصدر: In Journal of Crystal Growth 1 August 2019 519:84-90
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:00220248
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2019.05.006