دورية أكاديمية

Optical and structural properties of GaN films grown on c-plane Al2O3 by electron cyclotron resonance molecular beam epitaxy

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Optical and structural properties of GaN films grown on c-plane Al2O3 by electron cyclotron resonance molecular beam epitaxy
المؤلفون: Cho, Sung Hwan, Hata, Kazutaka, Maruyama, Takahiro, Akimoto, Katsuhiro
المصدر: In Journal of Crystal Growth 1 April 1997 173(3-4):260-265
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:00220248
DOI:10.1016/S0022-0248(96)00900-1