دورية أكاديمية
Buffer layers for the growth of GaN on sapphire by molecular beam epitaxy
العنوان: | Buffer layers for the growth of GaN on sapphire by molecular beam epitaxy |
---|---|
المؤلفون: | Ebel, R. *, Fehrer, M., Figge, S., Einfeldt, S., Selke, H., Hommel, D. |
المصدر: | In Journal of Crystal Growth 1999 201:433-436 |
قاعدة البيانات: | ScienceDirect |
تدمد: | 00220248 |
---|---|
DOI: | 10.1016/S0022-0248(98)01369-4 |