دورية أكاديمية

Buffer layers for the growth of GaN on sapphire by molecular beam epitaxy

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Buffer layers for the growth of GaN on sapphire by molecular beam epitaxy
المؤلفون: Ebel, R. *, Fehrer, M., Figge, S., Einfeldt, S., Selke, H., Hommel, D.
المصدر: In Journal of Crystal Growth 1999 201:433-436
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:00220248
DOI:10.1016/S0022-0248(98)01369-4