دورية أكاديمية
Buffer layers for the growth of GaN on sapphire by molecular beam epitaxy
العنوان: | Buffer layers for the growth of GaN on sapphire by molecular beam epitaxy |
---|---|
المؤلفون: | Ebel, R. *, Fehrer, M., Figge, S., Einfeldt, S., Selke, H., Hommel, D. |
المصدر: | In Journal of Crystal Growth 1999 201:433-436 |
قاعدة البيانات: | ScienceDirect |
كن أول من يترك تعليقا!