دورية أكاديمية

Synergistic effects of heating and biasing of AlGaN/GaN high electron mobility transistors: An in-situ transmission electron microscopy study

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Synergistic effects of heating and biasing of AlGaN/GaN high electron mobility transistors: An in-situ transmission electron microscopy study
المؤلفون: Al-Mamun, Nahid Sultan, Islam, Ahmad, Glavin, Nicholas, Haque, Aman, Wolfe, Douglas E., Ren, Fan, Pearton, Stephen
المصدر: In Microelectronics Reliability September 2024 160
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:00262714
DOI:10.1016/j.microrel.2024.115470