دورية أكاديمية

Ohmic contact characterization of AlGaN/GaN device layers with spatially localized LEEN spectroscopy

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Ohmic contact characterization of AlGaN/GaN device layers with spatially localized LEEN spectroscopy
المؤلفون: Jessen, G.H, White, B.D, Bradley, S.T, Smith, P.E, Brillson, L.J, Van Nostrand, J.E, Fitch, R, Via, G.D, Gillespie, J.K, Dettmer, R.W, Sewell, J.S
المصدر: In Solid State Electronics 2002 46(9):1427-1431
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:00381101
DOI:10.1016/S0038-1101(02)00075-8