دورية أكاديمية
Interface traps at Al2O3/InAlN/GaN MOS-HEMT -on- 200 mm Si
| العنوان: | Interface traps at Al2O3/InAlN/GaN MOS-HEMT -on- 200 mm Si |
|---|---|
| المؤلفون: | Kumar, Sandeep, Remesh, Nayana, Dolmanan, S.B., Tripathy, S., Raghavan, S., Muralidharan, R., Nath, Digbijoy N. |
| المصدر: | In Solid State Electronics November 2017 137:117-122 |
| قاعدة البيانات: | ScienceDirect |
Full Text Finder | تدمد: | 00381101 |
|---|---|
| DOI: | 10.1016/j.sse.2017.09.002 |