دورية أكاديمية

Analytic modeling of breakdown voltage shift in the CMOS buried multiple junction detector

التفاصيل البيبلوغرافية
العنوان: Analytic modeling of breakdown voltage shift in the CMOS buried multiple junction detector
المؤلفون: Vidal de Negreiros da Silva, Thais Luana, Kleimann, Pascal, Pittet, Patrick, Lu, Guo-Neng
المصدر: In Solid State Electronics February 2020 164
قاعدة البيانات: ScienceDirect
الوصف
تدمد:00381101
DOI:10.1016/j.sse.2019.107682