دورية أكاديمية
Detailed electrical characterization of 200 mm CMOS compatible GaN/Si HEMTs down to deep cryogenic temperatures
العنوان: | Detailed electrical characterization of 200 mm CMOS compatible GaN/Si HEMTs down to deep cryogenic temperatures |
---|---|
المؤلفون: | Kim, Donghyun, Theodorou, C., Chanuel, A., Gobil, Y., Charles, M., Morvan, E., Woo Lee, Jae, Mouis, M., Ghibaudo, G. |
المصدر: | In Solid State Electronics November 2022 197 |
قاعدة البيانات: | ScienceDirect |
تدمد: | 00381101 |
---|---|
DOI: | 10.1016/j.sse.2022.108448 |